一种立体结构芯片定位植锡钢网
授权
摘要
本实用新型公开了一种立体结构芯片定位植锡钢网，涉及到芯片定位结构技术领域，该立体结构芯片定位植锡钢网，包括植锡钢网主体，其特征在于：所述植锡钢网主体的顶部开设有多个芯片植锡网孔，所述植锡钢网主体的顶部固定连接有四个立体定位装置。本实用新型通过芯片大小设计立体定位装置，固定芯片位置，使芯片植锡过程中不偏移，提升维修人员的工作效率和植锡后的优良效果，同时，小面积的立体定位装置，在高温加热时，有效防止植锡钢网凹凸不平、鼓包以及锡点爆锡现象，大大提升了植锡钢网的使用生命周期，减低植锡钢网的报废率，设计结构合理，即使初级的维修人员也能轻松的使用，实用性强。
基本信息
专利标题 ：
一种立体结构芯片定位植锡钢网
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921600545.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-25
授权号 ：
CN210516671U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
甘建永
申请人 ：
深圳市沃威斯电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙岗街道同乐社区岗德路45号联发大厦A座二楼
代理机构 ：
深圳市鼎浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张炬杰
优先权 ：
CN201921600545.0
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/60 H01L21/68
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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