一种垂直导通氮化镓功率二极管
授权
摘要
本实用新型涉及一种垂直导通氮化镓功率二极管，属于功率二极管技术领域，该垂直导通二极管包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的成核层、超晶格应力缓冲层、GaN漂移层、掩膜层；所述衬底和所述GaN漂移层上还分别沉积有电学接触不同的第一电极和第二电极。本实用新型通过在垂直导通二极管中提供了超晶格应力缓冲层，该超晶格应力缓冲层可以实现衬底垂直导通及外延生长过程中GaN漂移层的应力调控，并且增加了场限环结构提高二极管的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直导通氮化镓功率二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921647785.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-29
授权号 ：
CN211045445U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
敖金平李柳暗
申请人 ：
宁波铼微半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区大碶街道微山湖路16号
代理机构 ：
北京细软智谷知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘业芳
优先权 ：
CN201921647785.6
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/15 H01L29/06 H01L21/329
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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