双通路高浪涌大通流TSS器件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提出了一种双通路高浪涌大通流TSS器件,包括:TSS芯片1,放置在第一框架的焊接区域上,第一框架和TSS芯片1通过焊料粘结;TSS芯片1朝下与第二框架的正面焊接区域粘结凝固;TSS芯片2,放置在第三框架的焊接区域上,第三框架和TSS芯片2通过焊料粘结,TSS芯片2未粘结的另一面焊接区第二框架的另一面对齐叠片通过焊料进行粘结;本实用新型能够大大缩小TSS器件占板面积,同时具有抗高浪涌和大通流的防护特点。

基本信息
专利标题 :
双通路高浪涌大通流TSS器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921722504.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-12
授权号 :
CN210272350U
授权日 :
2020-04-07
发明人 :
张英鹏苏海伟魏峰单少杰王帅蒋立柱
申请人 :
上海长园维安微电子有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
代理机构 :
上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
衣然
优先权 :
CN201921722504.9
主分类号 :
H01L25/07
IPC分类号 :
H01L25/07  H01L23/495  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件,例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-06-02 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 25/07
变更事项 : 专利权人
变更前 : 上海长园维安微电子有限公司
变更后 : 上海维安半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
变更后 : 201202 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢
2020-04-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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