本实用新型公开了一种双芯双通路的半导体浪涌防护器件，属于半导体防浪涌器件领域，包括基岛、第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一金属焊接区、第二金属焊接区、第一金属电极和第二金属电极；第一半导体芯片和第二半导体芯片分别设置于基岛的两侧；基岛、第一金属电极和第二金属电极分别连接一金属引脚。本实用新型的有益效果在于：与传统的单路浪涌防护器件相比，通过单颗器件同时实现了共模防护和差模防护，无需多颗器件组合，更加小巧方便，具有小型化、生产工艺稳定、高可靠性、生产效率高、美观等优点，满足未来的器件小型化的发展趋势。同时器件的内部结构上打破了传统封装定制化框架模式，适用性更广阔。