一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件
授权
摘要
本实用新型涉及一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件，包括半导体芯片、金属电极和包覆器件的塑封体，其中，在半导体芯片正面有半导体芯片金属焊接区PAD一、二，下方有铜框架基岛；二金属铜电极一、二分别连接在金属焊接区PAD一、二上；在二金属铜电极一、二和铜框架基岛底面分别引出金属引脚。本实用新型不但小型化，而且可以单颗器件在应用电路中实现共模和差模防护。具有小型化、生产工艺稳定、高可靠性、生产效率高、美观等优点来满足未来的器件小型化的发展趋势。产品外形及引脚尺寸可根据实际应用电路中PCB版的要求进行调整，更加灵活，适用性更广阔。
基本信息
专利标题 ：
一种新型双通路小型化半导体浪涌防护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020638651.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-24
授权号 ：
CN212434609U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
张英鹏苏海伟魏峰单少杰范炜盛王帅赵鹏范婷郑彩霞
申请人 ：
上海维安半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区施湾七路1001号
代理机构 ：
上海东亚专利商标代理有限公司
代理人 ：
董梅
优先权 ：
CN202020638651.4
主分类号 ：
H01L23/482
IPC分类号 ：
H01L23/482 H01L23/49 H01L23/495 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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