一种基于氮化铝陶瓷基板的封装大功率LED灯
授权
摘要
本实用新型属于发光二极管技术领域，且公开了一种基于氮化铝陶瓷基板的封装大功率LED灯，包括基板，所述基板的顶部安装有铜箔层，且基板的顶部开始有插槽，所述插槽的内部安装有插板，所述插板的顶部连接有LED芯片，所述LED芯片的顶部安装有胶体，且LED芯片的两侧均固定有金线，所述金线远离LED芯片的一端与铜箔层相连接，所述插板延伸至基板外部的一端固定有卡块，所述基板的侧壁靠近插槽一侧的位置处开设有与卡块相匹配的卡槽，本实用新型通过插板与插槽相互卡合，卡块与卡槽相互卡合，从而使插板牢固在基板上，进而使LED芯片能够稳固在基板上，同时通过连接头拔出插板即可快速拆除某一列的LED芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种基于氮化铝陶瓷基板的封装大功率LED灯
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921823962.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN210516748U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
王焕卿陈克风
申请人 ：
深圳市晶越电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道南昌第二工业区B1.B2.B3.B1栋七楼A
代理机构 ：
北京久维律师事务所
代理人 ：
邢江峰
优先权 ：
CN201921823962.1
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L25/075 H01L33/62 H01L33/50 H01L33/58
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
