氮化铝陶瓷基板和甲基硅胶膜顶封装大功率LED
授权
摘要
本实用新型公开了氮化铝陶瓷基板和甲基硅胶膜顶封装大功率LED，本实用新型涉及LED光源技术领域，包括氮化铝陶瓷基板本体，所述氮化铝陶瓷基板本体的顶部开设有支架安装槽，所述支架安装槽的顶部安装有支架，所述支架的顶部安装有LED基板，所述LED基板的两侧均安装有连接线缆，所述氮化铝陶瓷基板本体上靠近支架安装槽的一侧位置处开设有第一通孔，另一侧开设有第二通孔，所述第一通孔的内部安装有正极棒，所述第二通孔的内部安装有负极棒，本实用新型通过连接线缆，解决了生产过程中，经过回流焊工艺之后，LED基板与正负极会断开的问题，通过氮化铝陶瓷基板本体，解决了采用较大的金属基板，制作时耗时耗力的问题。
基本信息
专利标题 ：
氮化铝陶瓷基板和甲基硅胶膜顶封装大功率LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921847608.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN210467882U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
王焕卿陈克风
申请人 ：
深圳市晶越电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区西乡街道南昌第二工业区B1.B2.B3.B1栋七楼A
代理机构 ：
北京久维律师事务所
代理人 ：
邢江峰
优先权 ：
CN201921847608.2
主分类号 ：
H01L33/56
IPC分类号 ：
H01L33/56 H01L23/31 H01L23/373 H01L23/48 H01L23/043
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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