大功率LED封装用基板及大功率LED封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种大功率LED封装用基板及大功率LED封装结构，所述基板包括金属基体、位于金属基体上的绝缘导热层、及位于绝缘导热层和/或金属基体上方且与金属基体电性连接的电极，所述绝缘导热层通过扫描式微弧氧化方法在金属基体上生长形成，所述电极包括第一电极及第二电极。本实用新型基于微弧氧化的基板可优化传统的封装结构，减少导热通道的热阻，能有效解决大功率LED的散热问题，可广泛用于大功率LED散热基板或衬底的制备。
基本信息
专利标题 ：
大功率LED封装用基板及大功率LED封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920447832.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-03
授权号 ：
CN209571427U
授权日 ：
2019-11-01
发明人 ：
潘明强久磊刘吉柱王阳俊
申请人 ：
苏州大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市相城区济学路8号
代理机构 ：
宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
袁丽花
优先权 ：
CN201920447832.6
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/62 H01L33/64 C25D11/02
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法律状态
2019-11-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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