一种单晶炉的抽真空系统
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉的抽真空系统,其包括炉体、一级泵以及二级泵,炉体上设置有出气口,一级泵的吸气端和出气口之间连接有一级抽气通道,一级抽气通道包括沿着气流方向依次设置的主管、主阀、一级支管、预抽阀以及汇流管,主阀为三通阀,二级泵的吸气端与主阀的另一出气端接通,二级泵的出气端通过二级支管与汇流管接通,二级支管上设置有能够控制其通断的前置阀。本实用新型能够对单晶炉进行两级抽真空,给单晶炉提供10‑5Pa左右的高真空环境,避免单晶炉内结晶的过程中的晶体被氧化的现象发生。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉的抽真空系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921854318.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-30
授权号 :
CN210974935U
授权日 :
2020-07-10
发明人 :
姚以力李光于德金
申请人 :
中山荣拓智能装备有限公司
申请人地址 :
广东省中山市翠亨新区和清路14号厂房第一层(住所申报)
代理机构 :
中山市科创专利代理有限公司
代理人 :
谢自安
优先权 :
CN201921854318.0
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/20  F04B41/06  F04B37/14  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-03-11 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 35/00
登记生效日 : 20220301
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中山荣拓智能装备有限公司
变更后权利人 : 姚泰
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 528400 广东省中山市翠亨新区和清路14号厂房第一层(住所申报)
变更后权利人 : 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区繁荣街132号
2020-07-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332