一种直拉法单晶用真空吸盘
授权
摘要
本实用新型公开了一种直拉法单晶用真空吸盘，包括真空吸盘主体，所述真空吸盘主体的顶部固定连接有吊环，所述真空吸盘主体顶部的右侧连通有抽空管，所述真空吸盘主体两侧的底部均固定连接有吸盘下端定位块，所述吸盘下端定位块的内侧开设有密封圈安装槽，所述吊环的底部与真空吸盘主体顶部的连接处通过安装板固定连接。本实用新型通过设置真空吸盘主体、吊环、抽空管、吸盘下端定位块和密封圈安装槽的相互配合，达到了可以对大小及重量不同石英坩埚进行吊装的优点，解决了石英坩埚在吊装时不会出现受力不均匀，不会导致石英坩埚破裂，不会造成部分隐裂不会导致漏硅事故，减少经济损失和提高生产安全。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉法单晶用真空吸盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922022212.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN210974923U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
王琳郭樱花金鑫
申请人 ：
陕西西京电子科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区电子城电子西街3号502厂房
代理机构 ：
北京兴智翔达知识产权代理有限公司
代理人 ：
范万兴
优先权 ：
CN201922022212.0
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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