生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统
授权
摘要
本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。包括单晶炉支架（33）、真空泵（36）、充氩气装置、循环水冷装置（37）、电控柜（34）和驱动轴升降驱动装置（38），在单晶炉支架（33）上，分别设置有下炉体（1）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置（38）机械连接；实现了大直径碲化汞晶体的生长。
基本信息
专利标题 ：
生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021984651.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN212505149U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
解永强张红梅柳森娟徐海涛王宏杰
申请人 ：
西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请人地址 ：
山西省太原市万柏林区和平南路115号
代理机构 ：
山西华炬律师事务所
代理人 ：
陈奇
优先权 ：
CN202021984651.6
主分类号 ：
C30B13/00
IPC分类号 ：
C30B13/00 C30B13/28 C30B29/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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