一种热丝CVD沉积系统的丝架结构
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摘要
实用新型涉及进气结构领域，且公开了一种热丝CVD沉积系统的丝架结构，包括真空箱主体，所述真空箱主体的顶部固定安装有真空室顶板，所述真空室顶板的内部插设有进气管，所述进气管上从上到下依次固定安装有阀门、第二固定环、第一密封胶环、第一固定环与第二密封胶环，所述第二固定环位于真空室顶板的顶部，所述第一密封胶环与第一固定环位于真空室顶板之间，所述第二密封胶环位于真空箱主体的内部，所述进气管底部的一端贯穿并延伸至真空箱主体的内部。该实用新型，整个装置通过设置进气管路孔径与距离成正比例分布的花洒喷气方式，实现了热丝工作气体均匀分布于基片台上方，基片台温场均匀的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种热丝CVD沉积系统的丝架结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921871795.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-02
授权号 ：
CN210596251U
授权日 ：
2020-05-22
发明人 ：
邹杨孙蕾邹松东
申请人 ：
洛阳奥尔材料科技有限公司
申请人地址 ：
河南省洛阳市涧西区浅井头一街坊7幢2-402室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921871795.8
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2020-05-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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