一种单晶炉用直线导轨测径仪
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉用直线导轨测径仪,属于单晶炉技术领域。一种单晶炉用直线导轨测径仪,包括基座,基座的顶部连接有导轨件,导轨件外壁滑动连接有滑块,滑块外壁固定连接有光学镜头,基座外壁连接有标尺,基座外壁开凿有L形槽,L形槽内壁滑动连接有L形杆,基座内还开凿有滑槽,L形槽与滑槽相互连通,滑槽内壁滑动连接有限位杆,限位杆固定连接在L形杆的底部,滑槽内壁固定连接有固定杆,限位杆外壁开凿有与固定杆相配合的凹槽,凹槽内壁连接有弹性元件,弹性元件远离凹槽内壁的一端与固定杆相连;本实用新型结构简单,使用方便,当测径仪基座需要维修或者更换时,便于拆卸和安装,满足使用所需。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉用直线导轨测径仪
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921961465.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-14
授权号 :
CN210796695U
授权日 :
2020-06-19
发明人 :
李元成何瑞华
申请人 :
济宁市华祥石墨制品有限公司
申请人地址 :
山东省济宁市经济开发区吉祥路南,嘉美路东
代理机构 :
北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
牟炳彦
优先权 :
CN201921961465.8
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2021-10-26 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 15/26
申请日 : 20191114
授权公告日 : 20200619
终止日期 : 20201114
2020-06-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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