集成成像设备和集成电路
授权
摘要
本公开的实施例涉及集成成像设备和集成电路。一种集成成像设备包括像素，该像素具有延伸到衬底中的沟槽。沟槽涂覆有绝缘体并且填充有包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域的堆叠。第一和第二多晶硅区域通过绝缘材料的层彼此分离。第一多晶硅区域可以形成垂直晶体管的栅极电极，并且第二多晶硅区域可以形成电容器的电极。
基本信息
专利标题 ：
集成成像设备和集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922032196.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN211404502U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
A·苏勒F·罗伊
申请人 ：
意法半导体（克洛尔2）公司
申请人地址 ：
法国克洛尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN201922032196.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
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法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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