一种基于散热设计的集成封装射频前端组件
授权
摘要
本实用新型涉及一种基于散热设计的集成封装射频前端组件，其结构包括：金属框架，低噪声放大器，幅度相位控制芯片，功率放大器，限幅器，键合金线以及封盖，其中主体为金属框架，幅度相位控制芯片安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；功率放大器安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；限幅器安装在金属框架正面，通过键合金线与金属框架连接；低噪声放大器安装在幅度相位控制芯片正面，通过键合金线与金属框架连接。采用此封装结构在降低射频前端组件体积的同时大大提高了封装散热能力，有助于减小整体系统体积并提高系统性能。
基本信息
专利标题 ：
一种基于散热设计的集成封装射频前端组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922087679.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN210380839U
授权日 ：
2020-04-21
发明人 ：
班郁刘杰汪志强
申请人 ：
中国电子科技集团公司信息科学研究院
申请人地址 ：
北京市海淀区四道口北街36号院4号楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922087679.3
主分类号 ：
H04B1/40
IPC分类号 ：
H04B1/40 H04B1/036 H05K7/20
法律状态
2020-04-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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