一种半导体晶闸管性能测试装置
授权
摘要

本实用新型涉及半导体生产技术领域,尤其是一种半导体晶闸管性能测试装置,针对现有的使用不便的问题,现提出如下方案,其包括工作箱,所述工作箱的内壁固定连接有分隔板,所述分隔板的上侧固定连接有安装板,所述安装板的上侧设置有滑槽,所述安装板内滑动连接有位于滑槽内的滑块,所述滑块的下侧固定连接有与安装板固定连接的弹簧,两个所述滑块之间固定连接有移动板,所述移动板的底部通过螺栓固定连接有震动电机,所述移动板的上侧螺纹套接有连接柱,所述连接柱的上侧固定连接有功能块,本实用新型结构简单,使用方便,方便的进行检测,可以满足不同环境的改变,保证检测的全面,方便适应不同的工作,方便携带。

基本信息
专利标题 :
一种半导体晶闸管性能测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922116911.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-02
授权号 :
CN210668280U
授权日 :
2020-06-02
发明人 :
张志平
申请人 :
襄阳斯迈克电气有限公司
申请人地址 :
湖北省襄阳市高新区追日路9号汉北工业园1幢3楼
代理机构 :
六安众信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
鲁晓瑞
优先权 :
CN201922116911.1
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2020-06-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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