一种发光二极管的封装体
授权
摘要
本实用新型公开一种发光二极管的封装体，所述封装体自下而上包含：封装基板、透明封装胶、发光二极管；所述发光二极管自下而上包含：角度选择性反射结构，透明衬底、第一导电型半导体层、量子阱、第二导电型半导体层，所述量子阱、第二导电型半导体层部分被蚀刻，露出部分第一导电型半导体层，第一焊接电极位于所述露出的第一导电型半导体层上、第二焊接电极位于第二导电型半导体层上，其特征在于：所述封装基板的上表面具有锥形台，锥形台同时位于发光二极管下方，锥形台的表面为镜面；所述角度选择性反射结构对小入射角的光主要进行透射，大入射角的光主要进行反射。本实用新型可提高发光二极管封装体的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种发光二极管的封装体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922211341.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN210805820U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
熊伟平王鑫吴志伟高迪蔡坤煌
申请人 ：
天津三安光电有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区华苑产业区海泰南道20号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922211341.4
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/60
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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