降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器
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摘要

降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器,包括金属加热器主体、金属固定环,所述金属加热器主体设置有盘体、安装轴、测温热电偶和若干个气体管路,金属加热器主体的盘体内嵌设有若干个方型铠装加热管和石墨匀热片,顶面设置有陶瓷匀热盘;所述盘体和陶瓷匀热盘外围设置有金属固定环;所述盘体上设置有表面匀气沟槽、外圈密封面、内圈密封面、方型加热管安装沟槽和石墨匀热片安装槽;所述方型铠装加热管外壳设置为方型,内部设置为圆形铠装加热管;所述的陶瓷匀热盘顶面均布有若干数量的支撑晶圆的小凸台。本实用新型结构新型,工艺稳定,大幅度延长了使用寿命,减少了工艺时污染,显著提高了生产效率,降低了生产成本。

基本信息
专利标题 :
降低晶圆离子污染的高均匀性晶圆加热器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922229131.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-13
授权号 :
CN211455653U
授权日 :
2020-09-08
发明人 :
游利贾坤良
申请人 :
靖江先锋半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省泰州市靖江市城南园区德裕路8号
代理机构 :
靖江市靖泰专利事务所(普通合伙)
代理人 :
陆平
优先权 :
CN201922229131.8
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-09-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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