一种高精度共晶键合设备
授权
摘要
本实用新型涉及光通讯领域基板上芯片共晶键合技术领域，一种高精度共晶键合设备，包括设备基座，所述设备基座上端设有物料区和键合区；所述物料区包括一可在XYZ轴方向进行移动的拾取头单元，所述键合区包括共用导轨、光栅尺且相互独立控制的前芯片键合臂和后芯片键合臂，所述键合区还包括设置于所述上料台右侧且可在X轴方向移动的前共晶加热台和后共晶加热台，所述前共晶加热台和后共晶加热台之间设有可在X轴方向移动的芯片中继台，所述芯片中继台的前侧还设有芯片倒装翻面头。本实用新型采用双键合头的新型高精度光通讯共晶键合机的布局方案，以满足正装及倒装共晶键合的高精度要求，并通过并行双头方案实现设备产率的极大提高。
基本信息
专利标题 ：
一种高精度共晶键合设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922433688.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211045386U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
朱树存
申请人 ：
嘉兴景焱智能装备技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县罗星街道归谷二路33号
代理机构 ：
杭州永航联科专利代理有限公司
代理人 ：
俞培锋
优先权 ：
CN201922433688.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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