化学气相沉积设备基座上支撑面水平调节装置
授权
摘要
本实用新型提供了化学气相沉积设备基座上支撑面水平调节装置，包括：基座，所述基座上设有基座孔；托针机构，所述托针机构活动安装在所述基座孔中；调节机构，所述调节机构安装在所述基座上，所述调节机构靠抵所述托针机构，所述调节机构能够伸缩用以将所述托针机构顶出所述基座的上表面；所述调节机构具有刻度用以指示调节机构伸长的长度。据此，根据刻度能够准确获知调节机构顶出的高度，从而降低了高度参数调节的工程师的经验参与，基本上一次能够完成晶圆与基座之间间隙的设定，提高了加工效率。
基本信息
专利标题 ：
化学气相沉积设备基座上支撑面水平调节装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922434060.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211620611U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
赵辉韦旺远
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾浩
优先权 ：
CN201922434060.5
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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