一种化学气相沉积设备的基座单元
授权
摘要
本实用新型提供了一种化学气相沉积设备的基座单元，包括基座、升降部件、控制器和调节杆；升降部件包括活动轴、控制线和推杆；调节杆的一端与基座的底部连接，另一端所在的高度可调节；调节杆与推杆平行；推杆的一端与基座的底部连接，另一端与活动轴的一端连接；活动轴的另一端位于升降部件的内部；控制线与控制器连接，控制器用于控制活动轴的行程；控制器位于基座所在的腔体的外部。基座单元通过控制器控制升降部件的活动轴和推杆运动，推杆带动基座上升或下降，从而调节基座和喷淋头之间的距离。这样不再需要人工手动调节基座和喷淋头之间的距离，不再需要将机台停机，提高了调节基座和喷淋头之间的距离的效率。
基本信息
专利标题 ：
一种化学气相沉积设备的基座单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220235408.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
CN216738527U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
赵辉何江文
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟玉敏
优先权 ：
CN202220235408.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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