一种高可靠性的瞬态电压抑制二极管阵列
授权
摘要
本实用新型公开了一种高可靠性的瞬态电压抑制二极管阵列，包括引线框架、硅芯片、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚和第五引脚，该引线框架包括主岛和第六引脚，硅芯片粘结于主岛上，硅芯片上集成有两组二极管芯片组和一个TVS芯片，每组二极管芯片组包括四个二极管芯片，硅芯片上设有第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘；第一引脚与第一焊盘连接，第二引脚与第三焊盘连接，第三引脚与第四焊盘连接，第四引脚与第五焊盘连接，第五引脚与第六焊盘连接。本实用新型中的瞬态电压抑制二极管阵列可以对多路高速信号端口进行浪涌防护，其具有在严苛环境下正常工作的高可靠性，可以且不限于应用在军工、汽车等各种领域。
基本信息
专利标题 ：
一种高可靠性的瞬态电压抑制二极管阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922469698.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-31
授权号 ：
CN210837753U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
俞鸿骥仇利民龚建戴剑
申请人 ：
苏州晶讯科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区昆仑山路189号2号楼
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
李凤娇
优先权 ：
CN201922469698.2
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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