一种多晶硅还原炉及其视镜输氢孔结构
授权
摘要

本实用新型公开了一种视镜输氢孔结构,包括缓冲腔,所述缓冲腔为半圆结构,且该半圆结构的开口朝向底盘,所述缓冲腔的腔壁上设置有用于连通炉筒内部和所述缓冲腔的输氢孔,所述缓冲腔上还设置有用于连通氢气源的进气口。本实用新型中的缓冲腔为上半圆结构,因此缓冲腔的底部并不存在凹槽结构,那么在对炉筒进行清洗的过程中,缓冲腔的底部就不会出现积水,那么也就避免了污染硅芯,确保了产品质量。另外,还可以将输氢孔设置为朝向视镜的中心轴线的倾斜孔,相较于垂直孔,倾斜布置的输氢孔能够避免在视镜的中心轴线处形成负压,从而避免了硅粉被吸附到视镜上。本实用新型还公开了一种多晶硅还原炉。

基本信息
专利标题 :
一种多晶硅还原炉及其视镜输氢孔结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922492274.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-31
授权号 :
CN211310863U
授权日 :
2020-08-21
发明人 :
余涛冉祎李伟杜炳胜汪云清
申请人 :
四川永祥多晶硅有限公司
申请人地址 :
四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
张雪娇
优先权 :
CN201922492274.8
主分类号 :
C01B33/03
IPC分类号 :
C01B33/03  C01B33/035  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/03
使用卤化硅或卤化硅烷的分解,或其以氢作为惟一的还原剂的还原
法律状态
2020-08-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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