TSV上的偏移焊盘
授权
摘要
可以采用包括过程步骤的代表性技术和设备来减轻由于键合界面处的金属膨胀而导致的经键合微电子衬底的分层的可能性。例如，金属焊盘可以设置在微电子衬底中的至少一个微电子衬底的键合表面处，其中接触焊盘相对于衬底中的TSV偏移地定位并且电耦合到TSV。
基本信息
专利标题 ：
TSV上的偏移焊盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112470270A
申请号 ：
CN201980048835.5
公开（公告）日 ：
2021-03-09
申请日 ：
2019-06-13
授权号 ：
CN112470270B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
B·李G·高
申请人 ：
伊文萨思粘合技术公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
酆迅
优先权 ：
CN201980048835.5
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/485 H01L23/498 H01L23/522 H01L23/00 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20190613
申请日 : 20190613
2021-03-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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