一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法
授权
摘要
本发明所提出的一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法利用磁力搅拌台驱动磁转子在抛光溶液中转动，进而搅拌抛光溶液与芯片表面发生流动接触，其中的抛光颗粒与干法刻蚀后的芯片表面发生半接触或滑动接触，并伴有少量的粒子轰击，同时抛光溶剂中的碱性离子与刻蚀表面发生化学刻蚀反应，利用抛光溶液的不断搅动实现沿刻蚀表面平行方向的化学刻蚀和粒子轰击，进而去除沉积在干法刻蚀表面的刻蚀生成物以及干法刻蚀产生的尖峰和凸起，达到刻蚀表面和波导侧壁光滑化的效果，与传统的接触式机械研磨抛光和化学机械抛光方法相比，具有结构简单、操作简便、成本低、表面损伤小的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111379009A
申请号 ：
CN202010364793.0
公开（公告）日 ：
2020-07-07
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN111379009B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
唐杰钱广孔月婵陈堂胜
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区中山东路524号
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
王美章
优先权 ：
CN202010364793.0
主分类号 ：
C25F3/20
IPC分类号 ：
C25F3/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25F
电解法除去物体上材料的方法；其所用的设备
C25F3/00
电解浸蚀或抛光
C25F3/16
抛光
C25F3/18
轻金属的
C25F3/20
铝的
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2020-07-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25F 3/20
申请日 : 20200430
申请日 : 20200430
2020-07-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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