一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法，属于光芯片技术领域。因为在铌酸锂层与硬掩膜层之间设置了阻挡层，所以，在刻蚀硬掩膜层时，使得单位面积密度不同的两个区域的条状结构刻蚀均停止于阻挡层，所以，提高了刻蚀的均匀性和一致性。另外，铌酸锂具有较大的非线性光学系数、透光范围宽、透过率高，在刻蚀铌酸锂层的过程中，因为设置有阻挡层，所以，减少了两个密度分布不均的区域中条状结构之间的深度差异，并克服了不同区域条状结构中光源的串扰，从而提高了光芯片的光学性能。
基本信息
专利标题 ：
一种铌酸锂光芯片脊形波导的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114280890A
申请号 ：
CN202210116501.0
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈小强
申请人 ：
上海图灵智算量子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区芳春路400号1幢3层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210116501.0
主分类号 ：
G03F7/11
IPC分类号 ：
G03F7/11 G03F7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/004
感光材料
G03F7/09
以细部结构为特征的，例如，基片层、辅助层
G03F7/11
具有覆盖层或中间层的，例如，胶层
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/11
申请日 : 20220207
申请日 : 20220207
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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