一种ESD保护器件
授权
摘要
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种ESD保护器件。本发明相比于传统的横向SCR，优化了体内的电场分布，增大了体内的过电流面积，从而增大了器件的过电流能力，提高了器件的ESD保护能力，同时通过深槽的结构，减小了器件的横扩，可以实现在相同面积下更高的维持电压。本发明既充分利用SCR结构强泄流能力的特点，又通过深槽结构实现SCR在相同面积下更高的维持电压，可以实现高维持电压、低导通电阻、强鲁棒性等ESD保护性能。
基本信息
专利标题 ：
一种ESD保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111968970A
申请号 ：
CN202010886061.8
公开（公告）日 ：
2020-11-20
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
CN111968970B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李泽宏程然王志明
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202010886061.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-12-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20200828
申请日 : 20200828
2020-11-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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