一种高In组分台面型InGaAs焦平面探测器及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种高In组分台面型InGaAs焦平面探测器及其制备方法，其包括一探测器主体层、钝化膜层和欧姆接触层；探测器主体层由下往上依次包括InP衬底、InP缓冲层、n型InyAl1‑yAs缓冲层、n型InxGa1‑xAs吸收层、p型InxAl1‑xAs耗尽层和p型InxGa1‑xAs接触层；探测器主体层表面覆盖有钝化膜层；p型InxGa1‑xAs接触层分为像元区和像元分隔区，像元分隔区的深度等于p型InxGa1‑xAs接触层的厚度；p型InxAl1‑xAs耗尽层的厚度为20‑70nm；0.53≤x＜1；0.52≤y≤x。本发明的探测器结构，可以大幅降低焦平面探测器的总体暗电流。
基本信息
专利标题 ：
一种高In组分台面型InGaAs焦平面探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420869A
申请号 ：
CN202011055636.8
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN112420869B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
顾溢孙夺刘大福李雪
申请人 ：
无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
代理机构 ：
上海弼兴律师事务所
代理人 ：
王卫彬
优先权 ：
CN202011055636.8
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2022-02-11 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 31/109
变更事项 : 申请人
变更前 : 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
变更后 : 无锡中科德芯感知科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
变更后 : 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
变更事项 : 申请人
变更前 : 无锡中科德芯光电感知技术研究院有限公司
变更后 : 无锡中科德芯感知科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
变更后 : 214028 江苏省无锡市新吴区弘毅路10号金乾座901—910室
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/109
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
