一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置
授权
摘要
本发明公开了一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置，谐振腔体为卵圆形，波导和短路活塞设置在谐振腔体的顶部，同轴天线贯穿波导和谐振腔体的顶端，通过同轴天线将微波能量耦合进谐振腔体，同轴天线可上下移动；边缘沉积台设置在谐振腔体的中下部，可上下移动，中心沉积台设置在边缘沉积台的中间，可上下移动；石英钟罩设置在边缘沉积台，罩在中心沉积台上；进气管穿过谐振腔体的侧面和石英钟罩的顶部将气体送入石英钟罩；出气口设置在边缘沉积台，在中心沉积台的旁边。本发明有效解决了现有技术中存在的微波输入功率较低、缺少完善的调节措施、部件距离等离子体太近等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种卵圆形微波等离子体金刚石膜沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112410751A
申请号 ：
CN202011189925.7
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN112410751B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
刘杰谷昊周程知群汤一凡雷心晴卢超严丽平
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区二号路
代理机构 ：
浙江永鼎律师事务所
代理人 ：
陆永强
优先权 ：
CN202011189925.7
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/511
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/27
申请日 : 20201030
申请日 : 20201030
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
