一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，包括谐振腔主体、下圆柱体、同轴波导转换器、环形石英窗口、沉积平台、测温孔、测温仪、观察窗、进气口、出气口及水冷系统，其中谐振腔主体包括抛腔，抛腔是由一段抛物线绕所述谐振腔中轴线旋转一周得到的旋转体，且谐振腔内壁任意一点距离基片中心点的距离大于6/7λ。本发明可以使谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高，有助于提高沉积金刚石膜的品质，同时可以减弱对腔室内壁的热辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。
基本信息
专利标题 ：
一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114438473A
申请号 ：
CN202111613676.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程知群谷昊周刘杰严丽平卢超董志华周涛
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区杭州电子科技大学
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王欣
优先权 ：
CN202111613676.4
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/511 C30B29/04 C30B25/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/27
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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