微波法低温沉积细晶粒金刚石薄膜
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种用化学气相沉积工艺沉积可用于光学及电学领域的金刚石薄膜技术。其特征在于工作气体中含有0.1-10％的高纯氧气，0.1-10％的高纯甲烷，剩余为高纯氢气，工作气体的压力为1-100t，在金则石膜沉积过程中微波功率为100-500瓦。本发明的优点在于工艺简单、重复性强，突破了金则石薄膜的应用领域，可用于光学、电学领域。
基本信息
专利标题 ：
微波法低温沉积细晶粒金刚石薄膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1066299A
申请号 ：
CN91102584.7
公开（公告）日 ：
1992-11-18
申请日 ：
1991-04-28
授权号 ：
CN1032768C
授权日 ：
1996-09-11
发明人 ：
杨保雄吕反修蒋高松叶锐曾
申请人 ：
北京科技大学
申请人地址 ：
100083北京市学院路30号
代理机构 ：
北京科技大学专利代理事务所
代理人 ：
刘月娥
优先权 ：
CN91102584.7
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
1998-06-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-09-11 ：
授权
1992-11-18 ：
公开
1992-09-16 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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