一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成若干相互分立的牺牲层和第一保护层，所述第一保护层位于所述牺牲层上，且相邻所述牺牲层之间具有第一开口；在所述第一开口的底部和侧壁表面形成掩膜材料层，且所述掩膜材料层覆盖所述第一保护层的顶部和侧壁表面以及所述牺牲层的侧壁表面；去除所述第一开口底部表面和所述第一保护层顶部表面的掩膜材料层；去除所述第一保护层和所述牺牲层，在剩余所述掩膜材料层内形成第二开口；去除所述第一开口和第二开口暴露出的所述待刻蚀材料层，形成目标图形层。本发明提高了第二开口的图形精度，从而提高了半导体结构的性能。