一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上形成若干相互分立的牺牲层，相邻牺牲层之间具有第一开口；在第一开口底部和侧壁表面、牺牲层顶部表面形成侧墙材料层；在侧墙材料层表面形成保护层；在保护层上形成第一图形化层，第一图形化层内具有第一图形化开口，第一图形化开口暴露出其中一个或多个第一开口；在暴露出的第一开口内形成阻挡层,阻挡层的顶部表面低于牺牲层的顶部表面；去除保护层；去除第一开口底部表面和牺牲层顶部表面的侧墙材料层；去除牺牲层，在剩余侧墙材料层之间形成第二开口。本发明提高了图形传递的稳定性和精度，从而提高了半导体结构的性能。