MOS器件的检测方法及检测结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种MOS器件的检测方法及检测结构，该检测方法包括以下步骤：接收多个MOS器件的温度值；计算任意两个所述MOS器件的温度值的差值，获得多个温差值；根据多个所述温差值判断对应地所述MOS器件是否为异常状态；若一个所述MOS器件或多个所述MOS器件为异常状态，则进行异常处理。一旦一个或多个MOS器件被判断为异常状态，就能够及时进行异常处理，避免未出现异常的MOS器件被大电流烧坏，从而提高了BMS系统的安全性。
基本信息
专利标题 ：
MOS器件的检测方法及检测结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114487797A
申请号 ：
CN202011257313.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩岭戚务钱陈晓东雷晶晶张堤
申请人 ：
欣旺达电动汽车电池有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘家南路18号欣旺达
代理机构 ：
深圳市韦恩肯知识产权代理有限公司
代理人 ：
李华双
优先权 ：
CN202011257313.7
主分类号 ：
G01R31/327
IPC分类号 ：
G01R31/327 G01K7/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/327
•电路断续器、开关或电路断路器的测试
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/327
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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