一种前驱物循环系统、补充方法以及半导体设备
公开
摘要
本发明公开了一种前驱物循环系统、前驱物补充方法以及半导体设备。半导体设备中前驱物供应系统的缓存瓶依次通过质量流量计以及分流阀与反应室连通，前驱物循环系统包括：收集装置以及控制装置。其中，收集装置的输入端与分流阀的排出端连通，输出端与前驱物供应系统的缓存瓶连通。控制装置与收集装置连接，用于在前驱物供应系统开启前驱物供应的初始时间段内，控制收集装置将分流阀排出的前驱物回注到前驱物供应系统的缓存瓶中。这样能够有效地减少前驱物的使用量，有利于降低半导体制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种前驱物循环系统、补充方法以及半导体设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622188A
申请号 ：
CN202011458313.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐范植白国斌高建峰王桂磊田光辉丁云凌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011458313.3
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/52 C23C16/455 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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