一种热压光子多晶半导体的制备方法及应用
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摘要

本发明涉及新材料技术领域,涉及多晶半导体材料、智能穿戴技术领域,具体涉及一种热压光子多晶半导体的制备方法及应用。一种热压光子多晶半导体的制备方法,至少包括以下步骤:(1)将固体无机物和稀土盐类化合物混合,并进行烧制,得到烧制混合物A,将烧制混合物A转移至反应釜内反应一段时间后,进行冷却,再研磨得到粉末材料B;(2)将载体进行加热,再加入表面处理剂和粉末材料B,并进行搅拌,之后送入挤出机中进行挤出造粒,干燥,即得到热压光子多晶半导体。本发明中通过合理设置烧制温度、反应温度和反应压力,使通过本技术方案中的方法制备的热压光子多晶半导体材料成品率高,力学强度较好,可应用于智能穿戴用品中。

基本信息
专利标题 :
一种热压光子多晶半导体的制备方法及应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112843481A
申请号 :
CN202011604234.9
公开(公告)日 :
2021-05-28
申请日 :
2020-12-30
授权号 :
CN112843481B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
张得龙冼光
申请人 :
华南师范大学
申请人地址 :
广东省广州市中山大道西55号
代理机构 :
上海微策知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
李萍
优先权 :
CN202011604234.9
主分类号 :
A61N5/06
IPC分类号 :
A61N5/06  C30B28/02  C30B29/00  
IPC结构图谱
A
A部——人类生活必需
A61
医学或兽医学;卫生学
A61N
电疗;磁疗;放射疗;超声波疗
A61N5/00
放射疗
A61N5/06
利用光
法律状态
2022-05-10 :
授权
2021-06-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : A61N 5/06
申请日 : 20201230
2021-05-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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