一种碳化硅沉积的进气系统
授权
摘要
本实用新型提供一种碳化硅沉积的进气系统，属于化学气相沉积设备技术领域，该进气系统包括罐体、氢气源、第一管路、氩气源、第二管路、第三管路和储存MTS的储液罐，罐体分别通过第一管路、第二管路、第三管路与氢气源、氩气源以及储液罐连通；还包括软管和水源，软管的进水口和出水口分别通过进水管和出水管与水源连通；软管的管壁上固接第一水袋和第二水袋，软管的管壁上设有连通第一水袋的第一通孔和连通第二水袋的第二通孔，第一水袋和第二水袋上分别设有第一座和第二座，第一座和第二座连接时，第一水袋、第二水袋以及软管组成环体，第三管路置于环体的内环孔中。该碳化硅沉积的进气系统可以避免第三管路中的MTS液化，保证沉积出的碳化硅质量。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅沉积的进气系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020006752.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-02
授权号 ：
CN211713195U
授权日 ：
2020-10-20
发明人 ：
白秋云
申请人 ：
成都超纯应用材料有限责任公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区西航港空港二路1166号
代理机构 ：
成都睿道专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
潘育敏
优先权 ：
CN202020006752.X
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2020-10-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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