一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构
授权
摘要

本实用新型涉及电子技术领域,尤其是一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构,包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆,所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面,晶圆另一侧面为背面,所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构,所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构,大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起,本实用新型的支撑结构可以实现较大直径与减薄的晶圆薄化制程需求。

基本信息
专利标题 :
一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020179392.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-18
授权号 :
CN211858584U
授权日 :
2020-11-03
发明人 :
苏晋苗苏冠暐
申请人 :
北京芯之路企业管理中心(有限合伙)
申请人地址 :
北京市大兴区经济技术开发区荣华中路22号院1号楼6层604-1
代理机构 :
北京中企讯专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
熊亮
优先权 :
CN202020179392.3
主分类号 :
H01L21/02
IPC分类号 :
H01L21/02  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2020-11-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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