一种硅外延腔室
授权
摘要
本实用新型提供一种硅外延腔室，包括第一腔室及第二腔室，所述第一腔室中设置有用于承载晶圆的托盘与转轴；所述第二腔室包围于所述第一腔室外部，所述第二腔室中设置有热源以及多个第一测温计，所述多个第一测温计至少对应检测所述晶圆上下表面的中心及所述晶圆上下表面的边缘处的温度。通过增加检测晶圆上下表面不同区域温度的测温计，细化了对晶圆表面的温度检测，从而可根据检测到的晶圆不同区域的温度情况对热源进行针对性调整，可有效提高晶圆整体温度的一致性，避免晶圆温度的不均匀性。同时本实用新型的托盘包括透明或半透明碳化硅托盘，在托盘上表面还设置了导热层，可进一步保证晶圆温度的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种硅外延腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020475826.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN212316285U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
刘金营刘佑铭吴荘荘张显
申请人 ：
芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市黄岛区中德生态园团结路2877号ICIC办公楼4楼
代理机构 ：
北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高园园
优先权 ：
CN202020475826.4
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/06 H01L21/67 H01L21/673
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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