一种半导体制造用湿法氧化装置
授权
摘要
本实用新型属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体制造用湿法氧化装置。包括扩散炉和水气供给管路，所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管、与氮气源连接的输氮管、与去离子水源连接的去离子水输送管，所述输氧管和输氮管上设置有开关阀和流量控制阀，所述去离子水输送管上设有开关阀和水泵，所述输氧管和输氮管连接于扩散炉的进气口，所述去离子水输送管伸入扩散炉的炉膛内。相较于现有的湿法水汽氧化设备，本实用新型采用去离子水直接输送进入扩散炉中进行汽化，能够保证去离子水蒸汽供应量的稳定，从而保证半导体元器件上氧化层生长速率稳定，一致性较好，同时简化了设备结构，降低了成本，并杜绝了人员操作过程发生烫伤的安全隐患。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体制造用湿法氧化装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020611027.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN211828682U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
王昭
申请人 ：
天水天光半导体有限责任公司
申请人地址 ：
甘肃省天水市秦州区环城西路7号
代理机构 ：
兰州锦知源专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杜文化
优先权 ：
CN202020611027.5
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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