可测试的微器件排列结构

授权

摘要

本申请提供一种可测试的微器件排列结构，微器件排列结构，包括衬底、位于衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底的一侧，以及与微LED芯片的第一电极和/或第二电极电性连接的扩展电极，扩展电极的面积较大，且一个扩展电极同时电性连接2‑4个微LED芯片的电极。由于扩展电极的面积较大，使得微LED芯片能够使用探针进行光电性能测试；而扩展电极同时连接2‑4个微LED芯片的电极，使得测试过程中，探针移动次数能够相对于逐个测试的探针移动次数减少，从而能够节约测试时间；同时避免因为串联或并联时，由于坏点造成测试误差，提高了测试的准确度。

基本信息

专利标题：

可测试的微器件排列结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020699272.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-30

授权号：

CN212008819U

授权日：

2020-11-24

发明人：

谈江乔柯志杰艾国齐刘鉴明黄青青

申请人：

厦门乾照半导体科技有限公司

申请人地址：

福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路267号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李婷婷

优先权：

CN202020699272.6

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26 G01R1/073