一种SIC半导体器件参数测试结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种SIC半导体器件参数测试结构，包括底座和测试装置，还包括：固定于所述底座上端面一侧的两个支撑板，两个所述支撑板上端面开设有卡槽，两个所述卡槽之间套接有横杆，所述横杆表面套接有卷筒，所述横杆两侧开设有凹槽，所述凹槽内部螺纹啮合有螺杆，所述螺杆延长端固定有压盘，所述测试装置固定于所述底座上端面。本实用新型，通过卷筒可以将过长的连接线进行缠绕收卷，从而使得防止出现连接线过长相互缠绕打结的情况，且转动压盘，可以便于卷筒的快捷拆装，可以根据实际情况使用更灵活多变，通过预设的弹簧，可以拉动着压板向下移动，卡线槽可以将连接线与拆接口处进行稳定，防止受到拉扯造成断联。
基本信息
专利标题 ：
一种SIC半导体器件参数测试结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122932034.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216560865U
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
蒲辰
申请人 ：
南京易恩电气科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市经济技术开发区恒泰路8号汇智科技园B3栋13层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122932034.2
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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