一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统
授权
摘要
本实用新型公开了一体式石墨底座和一种电子级多晶硅生产系统。其中,一体式石墨底座包括:本体、卡瓣结构、间隙和电极配置孔。卡瓣结构设在本体上部,与本体为一体式结构;卡瓣结构包括多个子卡瓣,多个子卡瓣之间形成有间隙;电极配置孔设在本体下部。卡瓣结构与石墨底座本体为一体式结构,避免了分体石墨底座各配件组装时产生的石墨粉尘污染问题,不会导致因引入石墨粉尘而造成的电子级多晶硅产品品质下降问题。同时,由于电子级多晶硅对纯度要求极高,因此分体式的石墨结构回收利用效率要求少于两炉次,且分体石墨基底加工工序繁多,综合分析,该一体式石墨底座具有明显的经济优势;另外,该一体式石墨底座还具有优良的结构稳定性。
基本信息
专利标题 :
一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020990798.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-03
授权号 :
CN212581528U
授权日 :
2021-02-23
发明人 :
杜俊平张超贠俊辉胡艳仓娄成军
申请人 :
洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请人地址 :
河南省洛阳市洛龙科技工业园牡丹大道西1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
宋合成
优先权 :
CN202020990798.X
主分类号 :
C01B33/035
IPC分类号 :
C01B33/035
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素;其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
C01B33/021
制备
C01B33/027
使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原
C01B33/035
在存在硅、碳或耐熔金属的热丝情况下,或在存在热硅棒情况下,用气态或汽化的硅化合物的分解或还原
法律状态
2021-02-23 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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