一种MPS二极管器件
授权
摘要
本实用新型涉及电子器件技术领域，公开了一种MPS二极管器件，该包括MPS二极管器件并联设置的多个元胞，其中：每个元胞包括阴极电极以及依次形成于阴极电极上的衬底、外延层、缓冲层和阳极电极，外延层背离衬底的一侧形成有两个有源区，缓冲层的禁带宽度大于外延层的禁带宽度且缓冲层的材质与外延层的材质为同素异形体，缓冲层中与有源区相对的位置形成有第一开孔，第一开孔内形成有欧姆金属层。该MPS二极管器件在降低反向漏电损耗的同时降低了正向导通损耗，使得反向漏电和正向工作电压这两个性能参数同时得以改善，从而使得该MPS二极管器件的性能更好。
基本信息
专利标题 ：
一种MPS二极管器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021074035.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-11
授权号 ：
CN212517215U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
林苡任陈道坤曾丹史波
申请人 ：
珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市前山金鸡西路789号
代理机构 ：
北京同达信恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘红彬
优先权 ：
CN202021074035.7
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L21/324 H01L21/329
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
