一种连续式半导体蚀刻设备
授权
摘要

本实用新型公开了一种连续式半导体蚀刻设备,涉及到半导体蚀刻设备领域,包括装置本体,装置本体的一侧设有电气控制柜、装置本体上设有装置门,装置门上设有玻璃,装置本体的底侧内壁设有废液收集盒,装置本体的底侧内壁设有加热器。本实用新型结构合理,通过设置加热器和搅拌器,使得蚀刻液温度保持合适温度和蚀刻液搅拌均匀保持合适浓度,提高了蚀刻的速率,单线设置两个半导体蚀刻,提高了蚀刻速度,通过设置纵板和挡板,避免蚀刻液飞溅到其它半导体上,通过设置加热箱和风扇,对半导体表面进行主吹干,通过设置空气滤清器,过滤空气中的杂质,避免半导体被空气中的杂质污染而影响使用功能。

基本信息
专利标题 :
一种连续式半导体蚀刻设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021083124.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-12
授权号 :
CN212412002U
授权日 :
2021-01-26
发明人 :
廖海涛
申请人 :
江苏邑文微电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号
代理机构 :
北京商专润文专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
朱建
优先权 :
CN202021083124.8
主分类号 :
H01L21/302
IPC分类号 :
H01L21/302  H01L21/461  H01L21/67  F26B21/00  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的,例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
2021-01-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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