半导体制冷器退膜蚀刻方法
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摘要
本发明公开了半导体制冷器退膜蚀刻方法：包括以下步骤：（1）、退膜：将经过表面处理的半导体制冷器半成品依次碱洗→纯水冲洗→剥离液水浴超声→纯水冲洗→自动退膜线→IPA清洗→晾干；（2）、铜蚀刻：将铜蚀刻工段的14组喷淋管关闭前7组喷淋管，线速5000mm/min，铜蚀刻工段压力为至1.6kg；（3）、钛钨蚀刻：使用30%过氧化氢水浴加热，放入经过铜蚀刻的半导体制冷器半成品，一段时间后拿起，再用纯水浸泡、震荡，取出半导体制冷器半成品进行IPA浸泡后晾干。本发明的有益效果是通过对半导体制冷器退膜蚀刻的工艺参数的调整，能够得到退膜蚀刻外观效果合格的成品。
基本信息
专利标题 ：
半导体制冷器退膜蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113913823A
申请号 ：
CN202111072130.2
公开（公告）日 ：
2022-01-11
申请日 ：
2021-09-14
授权号 ：
CN113913823B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
吴鹏罗玉杰于正国
申请人 ：
赛创电气（铜陵）有限公司
申请人地址 ：
安徽省铜陵市经济技术开发区天门山北道3129号
代理机构 ：
铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴晨亮
优先权 ：
CN202111072130.2
主分类号 ：
C23F1/00
IPC分类号 ：
C23F1/00 C23G1/20 H01L35/34
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23F
非机械方法去除表面上的金属材料；金属材料的缓蚀；一般防积垢；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法的多步法金属材料表面处理
C23F1/00
金属材料的化学法蚀刻
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2022-01-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23F 1/00
申请日 : 20210914
申请日 : 20210914
2022-01-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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