本实用新型涉及半导体生产设备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅单晶生长炉的炉室结构。包括炉室本体，炉室本体为由内筒和外筒组成的套筒结构，炉室本体顶端和底端设有上盖和下盖，外筒顶端和底端分别设有上、下支撑法兰，上、下支撑法兰间设有多根支撑柱；上支撑法兰、上压紧法兰和内筒在间隙间压紧挤压密封圈形成三角密封的上寄生室，下支撑法兰、下压紧法兰与内筒通过螺栓相连并在相接处设有密封圈形成三角密封的下寄生室，上寄生室与下寄生室通过连接管道连通形成寄生室，寄生室通过截止阀与设备真空管道连通。本实用新型具有较好的稳定性的同时兼有良好的真空抗压性能，有效的减小设备整体漏率提高真空密封性能，从而提升晶体品质。