一种碳化硅炉炉室结构
授权
摘要
本实用新型涉及半导体生产设备技术领域,尤其是涉及一种碳化硅单晶生长炉的炉室结构。包括炉室本体,炉室本体为由内筒和外筒组成的套筒结构,炉室本体顶端和底端设有上盖和下盖,外筒顶端和底端分别设有上、下支撑法兰,上、下支撑法兰间设有多根支撑柱;上支撑法兰、上压紧法兰和内筒在间隙间压紧挤压密封圈形成三角密封的上寄生室,下支撑法兰、下压紧法兰与内筒通过螺栓相连并在相接处设有密封圈形成三角密封的下寄生室,上寄生室与下寄生室通过连接管道连通形成寄生室,寄生室通过截止阀与设备真空管道连通。本实用新型具有较好的稳定性的同时兼有良好的真空抗压性能,有效的减小设备整体漏率提高真空密封性能,从而提升晶体品质。
基本信息
专利标题 :
一种碳化硅炉炉室结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021235155.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-29
授权号 :
CN213147419U
授权日 :
2021-05-07
发明人 :
叶钢飞倪军夫胡建荣石明智阮文星姜耀天傅林坚曹建伟
申请人 :
浙江晶盛机电股份有限公司
申请人地址 :
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
周世骏
优先权 :
CN202021235155.0
主分类号 :
F27D1/10
IPC分类号 :
F27D1/10 F27D99/00 C30B29/36
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F27
炉;窑;烘烤炉;蒸馏炉
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D
一种以上的炉通用的炉、窑、烘烤炉或蒸馏炉的零部件或附件
F27D1/00
外壳;衬炉;壁;炉顶
F27D1/10
整体炉衬;其所用支架
法律状态
2021-05-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载