扩晶装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种扩晶装置，涉及LED封装技术领域，包括：子环、母环、底座、上盖以及连接部；底座包括第一置物盘和凸台，子环环绕凸台；上盖包括第二置物盘和至少三个支撑柱，支撑柱远离第二置物盘中心点的一侧壁设置有内缩珠，母环位于第二置物盘和内缩珠之间，且母环环绕至少三个支撑柱；上盖还包括刀片，刀片的一端与第二置物盘连接，刀片的另一端向靠近第一置物盘的一侧凸出，刀片沿第二置物盘的边缘环绕一圈。本申请提供一种扩晶装置，无需购买昂贵的自动扩晶设备，即可完成对蓝膜上的晶粒的扩晶处理，有利于降低成本，而且该扩晶装置轻巧灵活、操作简单，避免繁琐的操作步骤造成扩晶效率低下的问题，有利于提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
扩晶装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021320808.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-08
授权号 ：
CN212209429U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
郭祖福官婷
申请人 ：
湘能华磊光电股份有限公司
申请人地址 ：
湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区
代理机构 ：
北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
于淼
优先权 ：
CN202021320808.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L33/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
