镀膜装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种镀膜装置，所述镀膜装置具有真空腔室，在真空腔室中，在基板支架的两侧分别安装第一靶材组件和第二靶材组件，第一靶材组件和第二靶材组件相对设置，可以保证待镀膜基板的第一表面和第二表面同时镀膜，提高镀膜效率，并且，在第一靶材组件中具有第一磁铁，在第二靶材组件中具有第二磁铁，第一磁铁与第二磁铁相对设置，可以使得第一表面与第二表面的溅射作用力相互抵消，从而增加膜层的附着力，减少膜片变形。
基本信息
专利标题 ：
镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021527086.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-28
授权号 ：
CN213507169U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
张迅易伟华向军刘慧郑芳平徐彬彬洪华俊
申请人 ：
江西沃格光电股份有限公司
申请人地址 ：
江西省新余市高新技术产业开发区西城大道沃格工业园
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚璐华
优先权 ：
CN202021527086.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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