一种测试功率半导体雪崩能量及热阻分层的设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种测试功率半导体雪崩能量及热阻分层的设备，包括MOS管VT1，MOS管VT2，MOS管VT3，外接AC220V电源的变压器T1，主电源，CC/CV控制，贮能电容，二极管DIODE，雪崩能量贮能电感，雪崩能量控制电路，被测机台，雪崩能量及热阻控制电路，雪崩能量电感器控制电路，电压自检电路，主控CPU，电阻RS，数据采集电路，以及USB通讯口。本实用新型提供一种测试功率半导体雪崩能量及热阻分层的设备，有效的将雪崩能量测试设备和热阻分层测试设备结合成为了一个整体，减轻了企业的负担，同时还能很好的降低设备占用的空间，并利用PC作为上位机，能够更好的完成数据的查看和参数的设置，进一步提高了设备的使用效果。
基本信息
专利标题 ：
一种测试功率半导体雪崩能量及热阻分层的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021601401.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
CN212723200U
授权日 ：
2021-03-16
发明人 ：
杨明涛严地茂
申请人 ：
深圳市赛思特智能设备有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区福海街道桥头社区福海信息港A7栋409
代理机构 ：
成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成实
优先权 ：
CN202021601401.X
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-03-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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